科研动态

介绍

  本课题组（百度地图）成立于2016年7月，隶属于南京大学电子科学与工程学院，致力于发展深度摩尔时代的微纳电子学以及探索凝聚态物质的新奇物理现象，主要围绕微纳电子器件、半导体器件物理、二维电子材料合成、量子输运等方面开展工作。
  近年来在二维电子器件的物理建模、输运理论、原子层刻蚀与器件集成等方面取得了一些结果。在国际上率先阐明二维半导体器件中沟道厚度与电学性能的依赖规律及其物理起因一【Nano Lett. 13, 3546 (2013)，SCI引用318次】，发展了适用于非对称器件结构下库仑杂质散射的普适计算模型，对超薄沟道内各种主要散射机理做了系统研究【Nano Lett., 22, 6671(2022)】；在国际上首次开发出了具有原子级加工精度和非侵入式等两大特点的半导体原子层刻蚀技术【 Nat. Commun. 13, 1844 (2022)；Adv. Mater., 35, 2300618 (2023)】；率先构筑出沟道长度15纳米的短沟道晶体管阵列，在单层WS2中实现0.67毫安/微米的电流密度，指标优于国际半导体协会2025年规划【Adv. Mater., 37, 2414100 (2025)；IEEE EDL, 45, 2411 (2024)】；成功开发了液相纳米沉降和电极锚固等异质集成关键技术，解决了二维材料跨台阶集成的工艺难题【ACS Nano, 13, 2654 (2019)】，为开发深度摩尔和超越摩尔电路提供了新思路。
  毕业生多入职华为海思、长鑫存储等知名半导体企业。每年招收博士生2名，硕士生1名，常年招收博士后（24-60万元/年）。欢迎有物理、材料、或微电子背景，对科学研究有浓厚兴趣的同学报考。